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MOS管反峰及RCD吸收回路‘金年会在线入口’

发布时间:2022-09-19 00:38   浏览次数:次   作者:金年会在线官方网站
本文摘要:对开关电源工程师来说,在一对以上矛盾的条件下自由选择是常有的事。今天我们讨论的这个主题就是一对矛盾的条件。 (即,允许主MOS管道仅次于半杆,允许RCD吸收电路功率更大。)辩论前我们还要做几个假设。开关电源的工作频率范围:20 ~ 200KHZ;RCD的二极管合并成一行的时间很短(通常是几十纳秒)。 在调整RCD电路之前,主变压器和MOS管出口线的参数已经基本确认。

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对开关电源工程师来说,在一对以上矛盾的条件下自由选择是常有的事。今天我们讨论的这个主题就是一对矛盾的条件。

(即,允许主MOS管道仅次于半杆,允许RCD吸收电路功率更大。)辩论前我们还要做几个假设。开关电源的工作频率范围:20 ~ 200KHZ;RCD的二极管合并成一行的时间很短(通常是几十纳秒)。

在调整RCD电路之前,主变压器和MOS管出口线的参数已经基本确认。以上几个假设,我们可以重新展开计算:首先对MOS管的VD进行分段:I,输出的DC电压VDC;、二次射线一次VOR;、主要MOS管VD余量VDS;、RCD吸收有效电压VRCD1。其次,对上述主MOS管VD部分进行扩展计算。

I,输出的直流电压VDC。这取决于计算VDC时的最低输出电压值。长电压不能自由选择AC265V,即DC375V。Vdc=vac * 2 ,辅助光线初级VOR。

VOR是第二次输入最低电压,整流二极管压降为第二次时计算。例如,输入电压计算为5.0V5% (Vo=5.25V),二极管VF为0.525V(该值从1N5822的数据中查询额定电流下的VF值)。VOR=主MOS Tube VD的空闲VDS。

VDS是以MOS Tube VD的10%为基准的最小值。例如,KA05H0165R的VD=650为DC65v。不能自由选择VDC=VD * 10%。

VRCD是VRCD。吸收MOS管道的VD。实际选定的VRCD错误最大值的90%(主要影响开关电源各组件的分散、温度漂移、时间西移等因素)。

VRCD=(VD-VDC-VDS) * 90%注意:VRCD计算理论值,然后通过实验调整,使实际值与理论值相匹配。VRCD必须低于VOR的1.3倍。

VRCD由VRCD1和VOR组成的,RC时间常数确认。取决于开关电源的工作频率,通常可以自由选择10到20个开关电源循环。通过三个实验调整VRCD值,首先假定RC参数,R=100K/RJ15,C=10nF/1KV。再上市电应再次遵循高压后高压,不要遵循从轻载到牵引的原则。

实验时要严守旁边RC元件的电压值,不要让VRCD大于计算值。找到到达计算值后,应立即关闭电源,增加R值,然后重复上述实验。(RC元件的电压值用示波器仔细观察,示波器的地得到输出电解容量极高的RC点,测试点得到RC的另一点。

)适当的RC值应该理论上计算最低的输出电压、最轻的电源阻抗和VRCD的实验值。4实验中值得注意的现象输出网格电压越低,VRCD越高,阻抗越重,VRCD也越高。那么,当输出电压低于、有轻微阻抗时,如果VRCD的实验值小于上述理论计算的VRCD值,那么“否”和“(3)”的内容相互对立的是什么呢?完全不对立,理论值是从最低输出电压计算的结果,现在是低输出电压。

轻型阻抗是开关电源仅次于阻抗的第二个阻抗。主要通过实验测量了开关电源的无限高功率。

5 RCD吸收电路中R值的功率自由选择R的功率自由选择是通过测量VRCD的最大值来计算的。实际自由选择功率必须是计算功率的两倍以上。

后续词:RCD吸收电路的R值太小不会降低开关电源的效率。但是,如果R值太大,MOS管道就没有穿透的危险。


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